se vedhæftede referencediagram. find evt. Wikipediaartikler eller tutorials om voltage divider og NPN bipolar transistor biasing, så kan du beregne nogle nøjagtige værdier, der matcher dine designkrav.
Rg vil typisk være stor (100K+). R1 og R2 tilpasser du så udgangstrømmen til gaten mætter (eng. saturation) transistoren, når sensorens udgangsspænding er 24V. Re plus transistorens emitter-kollektormodstand ved mætning skal være maks. 300 ohm tilsammen jvf. IHC modulets specifikation.
Re og Rc bestemmer transistorens forstærkning (eng. gain). det kan du finde en formel for på nettet.
hvis du poster dine beregninger her, så er der måske nogen, der vil tjekke dem.
jeg kan ikke garanterere at kredsløbet opfylder dine designkrav fuldstændigt.